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2021年6月8日，美国国会参议院通过了长达1400多页《2021美国创新与竞争法案》，这项法案计划拨款约2500亿美元。
《美国创新与竞争法案》源自舒默和托德·杨去年共同提出的《无尽前沿法案》。2021年初，美国国会曾酝酿要通过多项能够得到跨党派支持和规模宏大的法案，以增强美国的科技创新和重建美国的制造业。在这些法案中，由参议院多数党领袖、纽约州民主党参议员舒默和印第安纳州共和党参议员托德·杨共同起草的《无尽前沿法案》曾被认为最有可能高票通过。
然而，几个月下来，该法案经历了曲折复杂的变化。参议员们吵得最凶的，是资金如何分配。每个人都想在法案里填上一笔，确保自己能分到一杯羹，在这个过程中，但凡出现修改，就必须再次重复流程。华盛顿州参议员玛丽亚·坎特威尔要求法案里加入帮助波音公司的条款，波音公司的生产基地在华盛顿州；密歇根州民主党参议员加里·彼得斯要求拿出20亿，缓解汽车厂关闭的问题，密歇根州最大的城市就是底特律。参议员们提出了多达230项修正案。
原法案中为新技术和创新理事会提供的1000亿美元预算被砍为290亿美元，其他预算则被转给美国能源部在几个州的实验室。共和党成员声称，他们会在最终的投票时，将《无尽前沿法案》的内容“全部删除”。
2021年5月18日，舒默推出了一个新的替代案，即《美国创新与竞争法案》，用以取代《无尽前沿法案》，除了在NSF设立技术与创新学部、在未来五年内为NSF拨款810亿美元（其中包括给新成立的学部分配290亿美元）、五年内拨款100亿美元由商务部主导成立10个区域技术创新中心等措施之外，又增加了拨款527亿美元用于提升国内半导体制造产业，拨款15亿美元用于5G创新等内容。
该法案提交给美国国会参议院的有3个版本，分别为15页的简要概述、85页的简版和1445页的详版。
未来5年投入大约1200亿美元，用于包括人工智能、半导体、量子计算、先进通信、生物技术和先进能源在内的关键技术领域的基础和先进研究、商业化、教育和培训项目。
该法案主要涉及了4个立法目标：
1 在国家科学基金会（National Science Foundation，NSF）设立一个新的技术和创新理事会（DTI，Directorate for Technology and Innovation）
2 创设区域技术中心
3 针对经济安全、科学、研究、创新、制造和就业建立一个战略报告体系
4 设立供应链韧性和危机应对计划的项目。
该法案的另一部分是《2021年战略竞争法案》，这部分法案致力于让美国减少对中国供应链的依赖，加强美国半导体产业实力，以及在科研领域增加研究经费等。
为应对中国的科技竞争，该法案还提出与盟友共享技术战略，包括技术控制和标准，以及关于开发和获取关键技术的战略。
2022年1月25日美国众议院公布了2900多页的《美国竞争法案》，其中有520亿美元关于芯片投资的内容，与2021年6月9日参议院通过的《美国创新与竞争法案》相同。
美国运用了一系列手段，目的就是想让芯片制造业回流美国，重新夺回高科技领域的控制权。
雷蒙多认为：“半导体问题不会在一两个月或12个月内得到解决，需要很长时间才能解决。这是一个重大的国家安全问题。美国国内不生产任何领先的尖端微型芯片，唯一的解决办法是联邦政府鼓励公司在美国生产这些芯片，这将需要数年时间。”
2021年10月26日，台积电张忠谋给美国泼冷水：美国过去半导体制造市场占有率曾达42％，目前降至17％，美国政府积极推动半导体在地制造，希望让半导体制造市场占有率回升。他认为，美国供应链不完整，且生产成本高，美国半导体在本地制造不可能会成功。
至于英特尔积极鼓吹美国政府补贴半导体厂，张忠谋表示，英特尔的动机是瞄准美国政府的补贴，只是这对亚洲，甚至是全世界的半导体厂都是挑战。“如果你在美国制造芯片，但价格没有更便宜，或者质量没有更好，这将对制造商的决定产生强烈影响。”
根据美国半导体行业协会（SIA）的数据，全球75％的半导体产能集中在东亚，而美国半导体公司占全球产能的比例从1990年的37％一直跌到了现在的12％。美国半导体行业协会估计，未来只有6％的全球生产中心将设在在美国。
相比之下，在未来十年，中国大陆预计将增加约40％的产能，成为全球最大的半导体制造基地。
据美国半导体行业协会（SIA）估计，如果要在美国建新厂的话，新厂未来十年的总持有成本将比中国台湾、韩国、新加坡高出30％，比中国大陆甚至高出37％至50％。
台积电正在美国亚利桑那州厂建厂，作为5纳米芯片的生产基地之一，预计2024年开始量产，月产能可达2万片，2021年至2029年的投资将达到约120亿美元。台媒估计，台积电还将在此地建四、五座厂。
然而，受到美国土木、电力系统缺工严重的影响，台积电不仅建厂成本大增，进度也比预期大为落后。原本预计明年安装设备，现在也只能往后推迟。
