半导体的研究框架分为两个阶段：2018年之前，和2018年之后。
2018年之前，全球包括中国大陆都遵循一个半导体研究框架：基于供需的库存周期与创新周期的双波叠加模型。
2018年之后，中国大陆半导体研究的底层逻辑已经发生重大变化，已经脱离了全球传统框架，决定国内半导体产业发展的主要矛盾已经从供需变成了国产替代。 为此我们提出了半导体研究的
三波叠加：
1、短期看：价格周期，又称为库存周期，由供给主导，一般为2年左右
2、中期看：创新周期，一般由3～5年的底层创新驱动，比如4G、5G、智能手机、智能电车
3、长期看：国产替代，这是中国半导体公司的最主要矛盾和未来增长的核心驱动力，预计将维持10年左右。
结论是：
一、按照库存周期律：由于台积电／三星／Intel都在先进工艺14／7／5在最近两年投入巨额capex，而以大陆为主的晶圆厂主要扩产在成熟工艺，所以根据供需的匹配关系，后续芯片库存将陆续出现三个拐点：
1）先进工艺12寸的芯片（14／7／5nm），将在2022年上半年逐步出现缓解，原因是全球巨额CAPEX＋手机／电脑需求疲软。
2）成熟工艺12寸的芯片（28／45／65nm），将在2022年下半年逐步出现缓解，但是跟智能电车相关需求的拐点会晚半年～1年。
3）成熟工艺8寸的芯片（130／90／mos／IGBT／SiC），将在2023年逐步出现缓解，因为能源革命的需求还处于早期，产能扩充进度因为设备交期延期而延后。
二、按照创新周期律：2008年～2018年十年的智能手机大周期又分成了3／4G大周期和5G小周期等多个创新周期叠加，目前创新已经由手机转移到电车为抓手的能源革命，又分为两个阶段：油车电动化＋电车智能化。
1、电动化：电动化最大的增量是电控，电控中最大壁垒和成本来自于功率半导体。
1）传统硅基：IGBT和传统MOS，将持续在中低压和传统场景占据主导地位。由于缺芯叠加行业景气度加速，新能源相关的IGBT和MOSFET将迎来机遇期。
2）碳化硅：SiC将在高压平台和高端应用场景发力。外延、衬底、制造、设备、IDM领域都将迎来行业景气＋国产替代＋份额提升的三重推动。
2、智能化：
1）传统座舱：本质是手机的衍生，是非实时操作系统在三屏合一趋势下的场景扩张，传统SoC厂商将继续主导座舱市场，目前主要玩家还是集中于海外巨头。
2）智能驾驶：本质上全新的异质计算架构，实时操作系统将结合FPGA＋GPU＋ASIC＋CPU异构芯片，共同实现无人驾驶，目前对半导体供需影响还处于早期阶段。
三、按照国产替代：2020年～2030年是我国又一次大级别的产业升级，从传统的OEM／拼装／贴牌，到核心半导体元器件的产业转移，2018年之后的科技封锁加速了这个过程，国产化逐步深化，分为四个阶段：
1）国产1．0：2019年5月，限制华为终端的上游芯片供应，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了对国产模拟芯片、国产射频芯片、国产存储芯片、国产CMOS芯片的倾斜采购，这是第一步。
2）国产2．0：2020年9月，限制海思设计的上游晶圆代工链，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圆厂都严重依赖美国的半导体设备（PVD、刻蚀机、离子注入机、测试机等），海思只能转移到备胎代工链，直接带动了中芯国际等国产晶圆厂和封测厂的加速发展。
3）国产3．0：2020年12月，中芯国际进入实体名单，限制的是芯片上游半导体供应链，本质是卡住芯片上游设备。想要实现供应链安全，必须做到对半导体设备和半导体材料的逐步突破，由于DUV不受美国管辖，此阶段的关键是针对刻蚀等美系技术的替代。
4）国产4．0：零部件、原材料、EDA／IP，面对继续的科技封锁，在半导体前道核心工艺设备／材料的自给化加强的基础上，会衍生到设备上游零部件和材料上游原材料。
半导体设备：将在2022年实现1－10的放量，优先关注成熟工艺国产化设备（130／90／65／40／28nm）。
芯片材料：将在设备后，接力进行0－1的突破，优先推荐黄光区材料和具备材料上游制备能力的相关公司。
EDA／IP：将登陆资本市场，成为底层硬科技的全新品类。
设备零部件：国产化的纵向推进使得产业地位凸显，板块将迎来历史级的发展窗口。
